네패스는 국산화한 고대역폭메모리(HBM) 도금액 양산을 본격화한다고 4일 밝혔다.
네패스가 국산화한 도금액은 미세 공정용으로 DDR5 이후 제품과 HBM 등에서 사용한다. 10나노미터(㎚) 이하 미세공정에 특화한 제품으로 성능, 공정성, 균일성이 우수하다.
도금액은 해외에 전량 의존하던 제품이다. 네패스 전자재료사업부는 해당 제품을 2년 전 국산화해 초도생산해왔고, 최근 국내 고객사 HBM용 실리콘관통전극(TSV) 공정에 채택되면서 양산을 본격화한다.
네패스는 올해 450억원 규모의 도금액 매출을 기대했다. 또 매년 30-40% 이상의 높은 성장률을 예상했다.
연내 양산 물량 대응을 위해 전자재료 생산능력 향상 목적의 설비 투자도 진행할 예정이다.
한편, 네패스는 화학연구소와 협업해 핵심 기능성 재료 중 하나인 PSPI(Photosensitive Polyimide) 1차개발도 완료했다. 복수의 대만 업체에 샘플을 제공한 상태다.
박진형 기자 jin@etnews.com
