[아이티비즈] 노바, 삼성과 SPIE 첨단 리소그래피 컨퍼런스에서 공동 연구 발표

노바가 삼성 R&D 센터 연구와 함께 SPIE 첨단 리소그래피 2024에서 두 편의 공동 저술 논문을 공개할 예정이라고 지난 27일 발표했다.

해당 논문은 SPIE의 메트로로지, 검사 및 프로세스 컨트롤 컨퍼런스에서 노바와 삼성이 발표할 예정이다.

이번 연구는 첨단 칩 제조 기술 향상을 위해 양사가 지속적으로 협력하며 다수의 혁신적 공동 개발 프로그램을 이끌어온 결과물로, 메모리 어레이 내 복잡한 구조에서 중요 파라미터 측정을 위한 노바의 다양한 신기술을 소개한다.

“복잡한 고종횡비 3D NAND 구조물을 위한 독창적 분광 간섭계 해법”이라는 첫 번째 논문에서는 분광 간섭계(SI)가 수직 이동 스캐터로메트리 알고리즘(VTS) 및 인공지능(AI)을 활용하여 3D NAND와 같은 복잡한 고종횡비 구조물의 문제를 해결하는 능력에 대한 내용을 포함한다.

이는 모델링 없이 VTS 신호만으로 다층 3D 구조물의 복잡한 층 두께를 측정하고 하부 층 정보를 걸러내며, VTS와 AI를 통해 비주기적 계단 구조와 큰 측면 변동이 있는 영역에서의 깊은 관통형 셀 메탈 접촉을 정밀하게 프로파일링 할 수 있다고 설명한다.

“분광 간섭계와 라만 분광법, 그리고 하이브리드 머신 러닝을 활용한 셀코게나이드 합금층의 셀 위 두께 모니터링”이라는 두 번째 논문은 VTS 모델링에 더해, 인라인 라만 분광법 사용을 도입한다. 이는 특정 물질 결합에 해당하는 라만 신호를 이용해 중요한 셀코게나이드 물질의 셀 위 두께 및 구성을 측정한다. 논문은 라만 분광법 결과가 VTS 스펙트럼과 결합된 모델 없는 AI 해법을 가능하게 함으로써 물질 속성 측정 능력을 실증한다.

노바의 기술 최고 책임자인 샤이 울프링(Shay Wolfling) 박사는 “삼성 R&D 센터와의 협력을 통해 노바의 혁신 기술을 소개할 수 있게 되어 매우 기쁘다”며, “이 협력을 통해 우리는 가장 첨단이며 도전적인 메모리 아키텍처의 중요한 프로세스 단계에서 인라인 분광 간섭계 및 라만 기술의 적용 가능성을 평가, 강화 및 확장할 수 있었고, 고객과의 R&D 협력을 통해 대량 생산으로의 신속한 전환을 가능하게 하는 혁신적인 해결책을 도입할 수 있다는 것을 이번 공동 작업을 통해 입증할 수 있었다”고 전했다.