키옥시아는 최근 미국 샌프란시스코에서 열린 국제고체회로학회(ISSCC)에서 332단 낸드플래시 기술을 공개했다.
현재 키옥시아가 양산 중인 최신 낸드는 8세대 218단 제품이다. 이번에 사양을 공개한 제품은 10세대로 구체적 양산 시점은 밝히지 않았다.
키옥시아는 8세대 낸드 대비 데이터 전송 속도가 33% 개선된 4.8Gb/s이며 단위 면적당 저장 용량은 59% 증가했다고 설명했다.
또 데이터 입력 전력 효율은 10%, 출력 효율은 34% 개선해 고성능 저전력을 구현했다고 강조했다. 회사는 이를 기반으로 인공지능(AI) 데이터센터를 공략한다는 계획이다.
10세대 낸드에는 8세대에서 처음 도입된 하이브리드 본딩 기술이 적용될 계획이다. 데이터를 저장하는 ‘셀’과 이를 구동하는 회로 ‘페리페럴’을 각기 다른 웨이퍼에서 구현하고, 이를 붙여 제품을 완성하는 방식이다.
가장 큰 특징은 최신 낸드플래시 인터페이스 규격인 ‘토글 DDR 6.0’ 적용이다. 키옥시아는 이를 기반으로 4.8Gb/s 데이터 전송 속도를 확보했다. 현재 국내 기업이 도입한 가장 최신 기술은 토글 DDR 5.1로 최대 3.2Gb/s의 데이터 전송 속도를 지원한다.
한·중·일 간 낸드 기술 경쟁은 더욱 치열해질 전망이다. 낸드 플래시는 단수가 높을수록 성능이 뛰어나다. 마치 고층 아파트를 올리는 것처럼 보다 많은 데이터를 저장·처리할 수 있어서다.
적층수에서 현재 한국이 가장 앞서 있으나 일본과 중국이 빠르게 추격하고 있다. 중국 양쯔메모리테크놀로지(YMTC)도 올해 초 5세대 270단 낸드 개발을 완료하고 양산에 들어갔다. 2016년 사업에 진출한 지 10년 만에 선두업체와의 기술 격차를 크게 좁혔다.
현재 300단 이상의 낸드는 SK하이닉스 9세대 321단 제품이 유일하다. 삼성전자 9세대 낸드는 286단이다.
SK하이닉스와 삼성전자는 400단 이상 10세대 제품에서 키옥시아, YMTC가 사용하는 하이브리드 본딩 방식을 도입할 예정이다.
박진형 기자 jin@etnews.com
